SiC 소재
Silicon Carbide
고온과 플라즈마에 노출되는 환경에서도 형상과 특성을 유지하는 소재입니다. 공정 조건이 가혹할수록 SiC의 역할이 커집니다.
- 내플라즈마성
- 고온 안정성
- 저파티클
- 고순도
SiC & Si Materials · Precision Components
반도체 공정의 핵심 소재와 부품을
만드는 기술 파트너
SiC·Si 소재 기술부터 정밀 가공까지
차세대 반도체 산업을 위한 Total Solution을 제공합니다.
기업부설연구소 보유
ISO 9001
ISO 14001
경기 화성 청원산업단지
01
Vision & Technology
작지만, 없어서는 안 되는 것을 만듭니다
벌집이 수많은 작은 움직임으로 유지되듯, 반도체 라인도 마찬가지입니다. 챔버 안의 소재와 부품 하나가 공정 전체의 수율을 좌우합니다. 하이버스는 바로 그 자리를 맡습니다.
MATERIAL
소재를 이해하는 힘
SiC와 Si는 열·플라즈마·응력 앞에서 전혀 다르게 반응합니다. 도면이 아니라 소재의 성질에서부터 출발합니다.
MACHINING
형상을 지키는 정밀 가공
경도가 높고 취성이 큰 소재일수록 가공이 어렵습니다. 도면 위의 형상이 현장에서도 그대로 살아남도록 공정을 관리합니다.
QUALITY
추적 가능한 품질
모든 로트를 검사하고 기록으로 남깁니다. 현장에서 질문이 돌아왔을 때, 답은 이미 데이터 안에 있습니다.
기술은 사람에게 이로워야 합니다.
하이버스가 향하는 방향입니다.
02
Business Areas
사업영역
반도체 공정에 들어가는 고순도 SiC 소재와 Si 소재를 공급합니다. 두 소재 모두 챔버 내부 환경에 맞춰 준비됩니다.
Si 소재
Silicon
웨이퍼와 같은 계열의 소재이기 때문에 공정 오염 부담이 낮습니다. 예측 가능한 거동이 필요한 자리에 폭넓게 쓰입니다.
- 저오염
- 공정 적합성
- 가공 안정성
- 고순도
03
Components
부품
SiC와 Si 소재를 챔버 안으로 들어가는 부품으로 가공합니다. 도면 기반 제작과 소량 다품종 대응이 모두 가능합니다.
SiC 부품
Silicon Carbide Components
식각·증착 공정에 사용되는 SiC 가공 부품입니다. 열과 플라즈마 부하가 큰 챔버를 기준으로 제작합니다.
- 식각 공정
- 증착 공정
- 도면 기반 제작
- 재생 가공 대응
Si 부품
Silicon Components
도면에 맞춰 가공한 Si 부품입니다. 오염 관리와 치수 안정성이 우선인 자리에 적합합니다.
- 오염 관리
- 치수 정밀도
- 소량 다품종
- 사양 협의 제작
04
Contact
문의하기
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